| |
|
|
| |
Izvorni znanstveni i pregledni radovi u CC časopisima
|
| |
1. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor With 36 V Breakdown Integrated in BiCMOS at Zero Cost. // IEEE electron device letters. 36 (2015) , 2; 90-92 (članak, znanstveni).  
|
2. Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons. // Journal of applied physics. 114 (2013) , 5; 053701-1-053701-8 (članak, znanstveni).
|
3. Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Song, Emil B.; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons. // Solid-state electronics. 84 (2013) , 6; 103-111 (članak, znanstveni).
|
4. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Morita, So-ichi; Mochizuki, Hidenori; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
Double-Emitter HCBT Structure—A High-Voltage Bipolar Transistor for BiCMOS Integration. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 12; 3647-3650 (članak, znanstveni).
|
5. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, Tomislav.
Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 6; 1636-1643 (članak, znanstveni).
|
6. Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons. // IEEE transactions on electron devices. 59 (2012) , 12; 3231-3238 (članak, znanstveni).
|
7. Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; Scholtes, Tom L.M.; van der Cingel, Johan; Vidal, Daniel; Jovanović, Vladimir.
Low-Complexity Full-Melt Laser-Anneal Process for Fabrication of Low-Leakage Implanted Ultrashallow Junctions. // Journal of electronic materials. 40 (2011) , 11; 2187-2196 (članak, znanstveni).
|
8. Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Wintersberger, Eugen; Etzelstorfer, Tanja; Mandl, Bernhard; Stangl, Julian; Carbone, Dina; Holý, Vaclav; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K.; Moers, Jürgen; Grützmacher, Detlev; Bauer, Günther.
X-ray Nanodiffraction on a Single SiGe Quantum Dot inside a Functioning Field-Effect Transistor. // Nano letters. 11 (2011) , 7; 2875-2880 (članak, znanstveni).
|
9. Nanver, Lis K.; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Hrauda, Nina; Stoffel, Mathieu; Pezzoli, Fabio; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo; Kosina, Hans; Marzegalli, Anna; Vastola, Guglielmo; Mussler, Gregor; Stangl, Julian; Bauer, Guenther; van der Cingel, Johan; Bonera, Emiliano.
Integration of MOSFETs with SiGe dots as stressor material. // Solid-state electronics. 60 (2011) , 1; 75-83 (članak, znanstveni).
|
10. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications. // Solid-state electronics. 65/66 (2011) ; 130-138 (članak, znanstveni).
|
11. Šakić, Agata; Nanver, Lis K.; Scholtes Tom L.M.; Heerkensa, Carel Th.H.; Knežević, Tihomir; Van Veen, Gerard; Kooijman, Kees; Vogelsang, Patrick.
Boron-layer silicon photodiodes for high-efficiency low-energy electron detection. // Solid-state electronics. 65/66 (2011) ; 38-44 (članak, znanstveni).
|
12. Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Gerharz Julian; Mussler, Gregor; van der Cingel, Johan; Zhang Jianjun; Bauer, Guenther; Schmidt, Oliver G; Miglio, Leo.
n-Channel MOSFETs Fabricated on SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility. // IEEE electron device letters. 31 (2010) , 10; 1083-1085 (članak, znanstveni).
|
13. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.
Ultra-high aspect-ratio FinFET technology. // Solid-state electronics. 54 (2010) , 9; 870-876 (članak, znanstveni).
|
14. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
Design considerations for integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm bulk CMOS technology. // Solid-state electronics. 54 (2010) , 10; 1166-1172 (članak, znanstveni).
|
15. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Suppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs. // Microelectronic Engineering. 87 (2010) , 2; 192-199 (članak, znanstveni).
|
16. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
Horizontal Current Bipolar Transistor With a Single Polysilicon Region for Improved High-Frequency Performance of BiCMOS ICs. // IEEE electron device letters. 31 (2010) , 6; 534-536 (članak, znanstveni).
|
17. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Analysis of Subthreshold Conduction in Short-Channel Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs. // Solid-state electronics. 54 (2010) , 5; 545-551 (članak, znanstveni).
|
18. Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stangl, J.; Rehman-Khan, A.; Bauer, Guenther; Stoffel, Mathieu; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.
X-ray investigation of buried SiGe islands for devices with strain-enhanced mobility. // Journal of Vacuum Science and Technology B - Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena. 27 (2009) , 2; 912-918 (članak, znanstveni).
|
19. Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Stangl, J.; Bauer, Guenther; Rehman-Khan, A.; Holy, V.; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.
X-ray diffraction study of the composition and strain fields in buried SiGe islands. // The European physical journal. Special topics. 167 (2009) , 1; 41-46 (članak, znanstveni).
|
20. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Improving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET. // Microelectronic engineering. 86 (2009) , 10; 2078-2085 (članak, znanstveni).
|
21. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Analytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs. // Solid-state electronics. 53 (2009) , 5; 540-547 (članak, znanstveni).
|
22. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Vertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model. // Solid-State Electronics. 52 (2008) , 10; 1505-1511 (članak, znanstveni).
|
23. Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Rastelli, Armando; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Bauer, Guenther.
SiGe growth on patterned Si(001) substrates: Surface evolution and evidence of modified island coarsening. // Applied Physics Letters. 91 (2007) , 17; 173115-1-173115-3 (članak, znanstveni).
|
|
|
|
|
| |
Znanstveni radovi u drugim časopisima
|
| |
1. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
BVCEO Engineering in SOI LBT Structure with Top Contacted Base. // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials. 41 (2011) , 2; 77-85 (članak, znanstveni).
|
2. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Vertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model. // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials. 38 (2008) , 1; 1-4 (članak, znanstveni).
|
|
|
|
|
|
|
| |
Objavljena pozvana predavanja na skupovima
|
| |
1. Nanver, Lis K; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; van der Cingel, Johan; Milosavljević, Silvana.
Application of Laser Annealing in the EU FP6 Project D-DotFET // Proceedings of 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP '09.
2009. 1-7 (pozvano predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
|
|
|
|
|
|
| |
Znanstveni radovi u zbornicima skupova s međunar.rec.
|
| |
1. Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
Investigation of Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor Breakdown Mechanisms // Proceedings of the 2016 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2016. 25-28 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
2. Ivanić, Vedran; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Phonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka, 2014. 45-50 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
3. Krivec, Sabina; Prgić, Hrvoje; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
Comparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka, 2014. 51-56 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
4. Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
Sensitivity of carrier mobility to edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Proceedings of the International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) 2014 / Mikael Ostling ; Per-Erik Hellstrom ; Gunnar Malm (ur.).
Stockholm : KTH, 2014. 1-4 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
5. Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Žonja, Sanja; Đerek, Vedran; Ivanda, Mile; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav.
Impact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka, 2014. 33-38 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
6. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
Optimization of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology Parameters for Linearity in RF Mixer // Proceedings of the 2013 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2013. 13-16 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
7. Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
On the application of boron and phosphorus heavily doped LPCVD polycrystalline silicon thin films as thermoelectric materials // .
(predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
8. Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.
Modelling of Electrical Characteristics of Ultrashallow Pure Amorphous Boron p+n Junctions // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2012. 42-47 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
9. Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.
Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons // Proceedings of the 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / Deval, Yann ; Zimmer, Thomas ; Skotnicki, Thomas (ur.).
Bordeaux : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. 298-301 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
10. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
Examination of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with Double and Single Polysilicon Region // Proceedings of the 2012 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. 5-8 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
11. Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
Impact of Bipolar Transistor Parameters on the Characteristics of the Double-Balanced Mixer // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2012. 97-102 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
12. Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.
Optimization of the perimeter doping of ultrashallow p+-n--n- photodiodes // MIPRO 2011 - 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2011. 44-48 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
13. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
Examination of Novel High-voltage Double-emitter Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2011 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. 5-8 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
14. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya.
Impact of the collector region fabrication on electrical characteristics of HCBT structures in 180 nm BiCMOS technology // Proceedings of MIPRO 2011, Vol.1. MEET&GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2011. 61-65 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
15. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Physics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Denona, 2011. 71-76 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
16. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Investigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ) : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. 114-115 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
17. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Features of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ) : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. 156-157 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
18. Shi, L.; Nanver, Lis K.; Šakić, Agata; Nihtianov, Stoyan N.; Knežević, Tihomir; Gottwald, Alexander; Kroth, Udo.
Series Resistance Optimization of High-Sensitivity Si-based VUV Photodiodes // IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference.
Binjiang : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. 1-4 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
19. Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, Miroslav; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
Structural and Electronic Properties of Heavily Phosphorus Doped Polycrystalline Silicon Thin Films // Proceedings of 34th International Convention MIPRO 2011 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka : Denona, 2011. 55-60 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
20. Grgec, Dalibor.
Efficient Calibration of Surface Scattering Models in Monte Carlo Device Simulators to Measurements // Proceedings of MIPRO/MEET 2010 / Petar, Biljanović (ur.).
Opatija : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2010. 80-85 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
21. Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Moers, Juergen; Grützmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Hrauda, Nina; Stoffel, Mathieu; Pezzoli, Fabio; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo; Kosina, Hans; Marzegalli, Anna; Vastola, Guglielmo; Mussler, Gregor; Stangl, Julian; Bauer, Guenther; van der Cingel, Johan; Bonera, Emiliano, Nanver, Lis K.
N-channel MOSFETs Fabricated on Self-Assembled SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility // Proceedings of 13th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2010.
2010. 101-104 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
22. Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K.; Moers, Juergen; Grützmacher, Detlev; Gerharz, Julian; Mussler, Gregor; van der Cingel, Johan; Zhang, Jianjun; Bauer, Guenther; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo.
MOSFETs on Self-Assembled SiGe Dots with Strain- Enhanced Mobility // Proceedings of the 2010 International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology ICSICT-2010 / Tang, Ting-Ao ; Jiang, Yu-Long (ur.).
2010. 926-928 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
23. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
Extrinsic base effect on the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) electrical characteristics // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana : BIRO M, 2010. 95-100 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
24. Mavrek, Elena; Lončarić, Ivan; Poljak, Ivan; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav.
Effect of parasitic RLC parameters in bias networks on ECL delay time // Proceedings of the 33rd International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Denona, 2010. 99-103 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
25. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Orientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. 21-24 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
26. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Quantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Denona, 2010. 74-79 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
27. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
Sevilla : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. 242-245 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
28. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Physical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana : BIRO M, 2010. 101-105 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
29. Šakić, Agata; Civale, Yann; Nanver, Lis K.; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir.
Al-mediated Solid-Phase Epitaxy of Silicon-On- Insulator // Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 1245 / Wang, Qi ; Yan, Baojie ; Flewitt, Andrew ; Tsai, Chuang-Chuang ; Higashi, Seiichiro (ur.).
Warrendale (PA) : Materials Research Society, 2010. 427-432 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
30. Šakić, Agata; Jovanović, Vladimir; Maleki, Parastoo; Scholtes, Tom L.M.; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.
Characterization of amorphous boron layers as diffusion barrier for pure aluminium // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Denona, 2010. 26-29 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
31. Šakić, Agata; Nanver, Lis K.; Van Veen, Gerard; Kooijman, Kees; Vogelsang, Patrick; Scholtes, T. L. M.; De Boer, W. B.; Wien, W.; Milosavljević, Silvana; Heerkens, C. T. H.; Knežević, Tihomir; Spee, I.
Versatile silicon photodiode detector technology for scanning electron microscopy with high-efficiency sub-5 keV electron detection // Technical Digest - International Electron Devices Meeting.
San Francisco (CA) : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. 31.4.1-31.4.4 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
32. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
Collector Region Design and Optimization in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2010 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting / Ngo, David ; Alvin, Joseph (ur.).
Austin (TX) : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. 212-215 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
33. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
2-D front- and back-gate potential distribution model of submicrometer VFD SONFET // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Denona, 2010. 69-73 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
34. Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; van der Cingel, Johan; Jovanović, Vladimir.
Laser Annealing of Self-Aligned As+ Implants in Contact Windows for Ultrashallow Junction Formation // Electrochemical Society Transactions / De Lima Monteiro, D. ; Bonnaud, O. ; Morimoto, N. (ur.).
The Electrochemical Society (ECS), 2009. 19-27 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
35. Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Gonda, Viktor; van der Cingel, Johan; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.
Integration of Laser-Annealed Junctions in a Low- Temperature High-k Metal-Gate MISFET // Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon / Mantl, S. ; Lemme, M. ; Schubert, J. ; Albrecht, W. (ur.).
2009. 181-184 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
36. Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko.
Bulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. 241-244 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
37. Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav.
FinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana : Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials (MIDEM), 2009. 91-96 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
38. Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.
1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. 261-262 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
39. Knežević, Tihomir; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav.
Stress Effect in Ultra-Narrow FinFET Structures // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. 89-94 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
40. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Quantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. 95-100 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
41. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Suppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
Sankt Peterburg : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. 1-6 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
42. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Optimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD) : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. 1-2 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
43. Šarlija, Marko; Vasiljević, Igor; Suligoj, Tomislav.
Power MOS Transistors Integrated in Standard CMOS Technology without any Increase in Process Complexity // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. 101-106 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
44. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for the Low-cost BiCMOS Technology // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. 359-362 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
45. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Compact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. 85-88 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
46. Žilak, Josip; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav.
Optimization of Stress Distribution in Sub-45 nm CMOS Structures // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana : Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials (MIDEM), 2009. 85-90 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
47. Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.
First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb : Denona, 2008. 90-95 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
48. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.
FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb : Denona, 2008. 79-83 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
49. Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.
Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
Pennington (NJ) : ECS, 2008. 313-320 (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
50. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
SOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008. 425-430 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
51. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Properties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb : Denona, 2008. 73-78 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
52. Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Influence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb : Denona, 2008. 84-89 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
53. Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar.
Sub-100 nm Silicon Nitride Hard-Mask for High Aspect Ratio Silicon Fins // Proceedings of MIPRO 2007, MEET & HGS / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2007. 62-66 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
54. Jovanović, Vladimir; Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Piccolo, Giulia; Sarubbi, Francesco; Nanver, Lis K.
Integration of Junction FETs in Back-wafer Contacted Silicon-On-Glass Technology // Proceedings of 10th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2007.
2007. (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
55. Poljak, Mirko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav.
Comparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka, 2007. 78-83 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
56. Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
College Park (MD), 2007. (poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
57. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Vertical Silicon-on-Nothing FET: Treshold Voltage Calculation Using Compact Capacitance Model // 2007 International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, Ken (ur.).
2007. (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni). 
|
58. Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav.
Vertical Silicon-on-Nothing FET: Capacitance-Voltage Compact Modeling // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka : Studio Hofbauer, 2007. 84-88 (predavanje,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
59. Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav.
Application of spacer hard-masks for sub-100 nm wide silicon fin-etching // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006.
(poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
60. Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Jovanović, Vladimir; Fregonese, Sebastien; Nanver, Lis K.
JFET test structures for monitoring strain-enhanced mobility // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006.
(poster,međunarodna recenzija,objavljeni rad,znanstveni).
|
|
|
|
|
|
|
| |
Sažeci u zbornicima skupova
|
| |
1. Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
Tanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanaka HFD-a.
(poster,sažetak,znanstveni).
|
2. Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar.
Heavily phosphorus doped polycrystalline silicon with the application in the field of thermoelectrics // .
(poster,sažetak,znanstveni).
|
3. Nanver, Lis K.; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Bauer, Guenther; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo; Kosina, Hans; Marzegalli, Anna; Vastola, Guglielmo; Mussler, Georg; Hrauda, Nina; Stangl, Julian; van der Cingel, Johan; Pezzoli, Fabio; Bonera, Emiliano.
SiGe dots as stressor material for strained Si devices // .
(pozvano predavanje,međunarodna recenzija,sažetak,znanstveni).
|
4. Hrauda, Nina; Etzelstorfer, Tanja; Strangl, Julian; Carbone, Dina; Bauer, Guenther; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev.
Field-effect Transistor Devices Based on Strained Si Channels Above Buried 2D Periodic SiGe Quantum Dots // .
(poster,međunarodna recenzija,sažetak,znanstveni).
|
5. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.
Design Considerations for Integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm Bulk CMOS Technology // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD) : Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. 1-2 (predavanje,međunarodna recenzija,sažetak,znanstveni).
|
|
|
|
|
|
|
| |
Disertacije
|
| |
1. Poljak, Mirko.
Carrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices / doktorska disertacija.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 28.05. 2013.,
209 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav ; Wang, Kang L..
|
2. Grgec, Dalibor.
KVANTNOMEHANIČKO MODELIRANJE U MONTE CARLO SIMULACIJAMA MOS STRUKTURA / doktorska disertacija.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 29.09. 2011.,
232 str. Voditelj: Biljanović, Petar.
|
3. Jovanović, Vladimir.
Fin technology for wide-channel FET structures / doktorska disertacija.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 24.04. 2008.,
116 str. Voditelj: Biljanović, Petar.
|
4. Koričić, Marko.
Horizontal Current Bipolar Transistor Structures for Integration with CMOS Technology / doktorska disertacija.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 03.07. 2008,
159 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
5. Sviličić, Boris.
Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu / doktorska disertacija.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 14.05. 2008.,
147 str. Voditelj: Biljanović, Petar.
|
|
|
|
|
|
|
| |
Diplomski radovi
|
| |
1. Čović, Maja.
ANALIZA P-I-N FOTODIODA VELIKIH BRZINA RADA I OSJETLJIVOSTI / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 28.01. 2011.,
49 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
2. Khan, Saeed Ahmed.
ELECTRICAL PROPERTIES OF FABRICATED TRANSISTOR REGIONS IN ADVANCED SILICON BIPOLAR TECHNOLOGIES / završni rad - diplomski/integralni studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 01.07. 2011.,
77 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
3. Lončarić, Ivan.
Projektiranje integriranih radio-frekvencijskih sklopova u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / završni rad - diplomski/integralni studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 01.07. 2011.,
89 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
4. Petričević, Marijan.
Analiza brzine rada i prinosa procesiranih sklopova emiterski vezane logike u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / završni rad - diplomski/integralni studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 01.07. 2011.,
58 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
5. Gotal, Robert.
Projektiranje dvostruko balansiranog mješala u integriranoj bipolarnoj tehnologiji / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 04.02. 2010.,
66 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
6. Kalafatić, Hrvoje.
Optimiranje npn bipolarnog tranzistora sa emiterom u v-žlijebu / završni rad - diplomski/integralni studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 14.07. 2010.,
119 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
7. Mavrek, Elena.
Implementacija sklopova emiterski vezane logike u 180 nm tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / završni rad - diplomski/integralni studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 07.07. 2010.,
73 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
8. Nagradić, Dejan.
Utjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike fotodioda / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 09.07. 2010.,
50 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
9. Poljak, Ivan.
Razvoj testnih struktura i demonstracijskih sklopova za bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje / završni rad - diplomski/integralni studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 07.07. 2010.,
93 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
10. Stipetić, Eduard.
Optimiranje strukture fotodiode za detekciju na određenim valnim duljinama / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 09.07. 2010.,
46 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
11. Cafuta, Marko.
Analiza bipolarnog tranzistora za detekciju optičkih signala / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 17.12. 2009.,
54 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
12. Knežević, Tihomir.
Karakteristike FinFET struktura s ultra tankim tijelom pod utjecajem naprezanja / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 16.07. 2009.,
134 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
13. Petričević, Marijan.
Analiza MOS tranzistora realiziranih u germaniju / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.07. 2009.,
35 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
14. Šuljug, Ante.
Analiza bipolarnog tranzistora s emiterom u v-žlijebu / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 22.10. 2009.,
61 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
15. Žilak, Josip.
Utjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 16.07. 2009.,
87 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
16. Koharović, Ivan.
Karakterizacija FinFET strukture sa ultra tankim tijelom / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.06. 2008.,
52 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
17. Mavrek, Elena.
Mjerenje bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje procesiranog u 180 nm CMOS tehnologiji / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.06. 2008.,
49 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
18. Mrzlečki, Matija.
Utjecaj tehnološko-topoloških parametara na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.06. 2008.,
50 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
19. Šakić, Agata.
Analiza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.07. 2008.,
73 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
20. Šarlija, Marko.
Mjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.11. 2008.,
101 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
21. Vasiljević, Igor.
Analiza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji / diplomski rad.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 15.11. 2008.,
106 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
22. Vukosav, Ivan.
Utjecaj koncentracija primjesa na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje u 180 nm CMOS tehnologiji / završni rad - preddiplomski studij.
Zagreb : Fakultet elektrotehnike i računarstva, 10.06. 2008.,
58 str. Voditelj: Suligoj, Tomislav.
|
|
|
|
|
|
|
| |
Druge vrste radova
|
| |
|
|
| |
Patenti
|
| |
1. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
Semiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor.
|
2. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
Semiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor.
|
3. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device.
|
4. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.
Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device.
|
5. Koričić Marko; Suligoj Tomislav; Mochizuki Hidenori; Morita Soichi.
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device.
|
6. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
Semiconductor device and fabrication method thereof.
|
7. Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
Semiconductor device and fabrication method thereof.
|
8. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
Hybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same.
|
9. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
Hybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same.
|
10. Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi.
Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Sadržaj objavljen na bib.irb.hr (osim ako je drugačaije navedeno) podložan je pravilima Creative Commons licence
