izvor podataka: crosbi
!
MIKROVALNO POJAČALO S AlGaN/GaN TRANZISTOROM S EFEKTOM POLJA (CROSBI ID 436832)
Ocjenski rad | diplomski rad
Karač, Marija
MIKROVALNO POJAČALO S AlGaN/GaN TRANZISTOROM S EFEKTOM POLJA / Babić, Dubravko (mentor);
Zagreb, Fakultet elektrotehnike i računarstva, . 2015
Podaci o odgovornosti
Karač, Marija
Babić, Dubravko
hrvatski
MIKROVALNO POJAČALO S AlGaN/GaN TRANZISTOROM S EFEKTOM POLJA
Ovaj rad opisuje dizajn i izradu uskopojasnog jednostupanjskog RF pojačala snage, koje radi u klasi AB, na 2 GHz. Korišten je AlGaN/GaN HEMT s visokom pokretljivošću elektrona. Opisan je proračun mreža za ugađanje ulazne i izlazne impedancije, proces izrade tiskane pločice te mjerenja i ugađanja pasivnih komponenti da bi se dobili rezultati na 2GHz.
radiofrekvencijsko pojačalo u klasi AB
Diplomski rad broj 953
engleski
Microwave amplifier with AlGaN/GaN field-effect transistor
nije evidentirano
radiofrequency amplifier in class AB
nije evidentirano
Podaci o izdanju
125
01.07.2015.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
Povezanost rada
Povezane osobe
Povezane ustanove
