Visokotlačni fazni prijelazi kristala silicija (CROSBI ID 373832)
Ocjenski rad | diplomski rad
Podaci o odgovornosti
Dejan Bošnjaković
Igor Lukačević
Zvonko Glumac
hrvatski
Visokotlačni fazni prijelazi kristala silicija
Istraživana je struktura kristala silicija s obzirom na promjenu tlaka. Raĉuni za elektronsku strukturu silicija potvrĊuju kako je silicij u osnovnom stanju (cd faza) indirektni poluvodiĉ dok daljnjim povećanjem tlak silicij u β-Sn strukturi poprima svojstva vodiĉa. Fazni prijelaza cd→β-Sn fazu je prvog reda što vidimo iz velike promjene volumena. Rezultati za tlak prilaza iz cd→β-Sn fazu dobro se slažu s dosadašnjim teorijskim rezultatima, dok je odstupanje od eksperimentalnih vrijednosti od 20% do 38%. Fazni prijelaz β- Sn→Imma je prijelaz drugog reda. Tlak prijelaza dobiven usporedbom entalpija za 15% odstupa od eksperimentalne vrijednosti. Raĉuni dinamiĉke rešetke za cd fazu pokazuju kako se ne pojavljuje nestabilan fononski mod, što ukazuje na naglu prirodu faznog prijelaza cd→β-Sn. Za β-Sn fazu rezultati za dinamiku rešetke govore kako se mekšanje fononskog moda dogaĊa u blizini Γ toĉke. Kod raĉunanja elastiĉnih konstanti dobili smo makroskopsku nestabilnost β-Sn faze već na tlaku manjem od predviĊenog. To nas može navesti da se možda radi o feroelastiĉnom faznom prijelazu.
teorija funkcionala gustoće ; poluvodiči ; fazni prijelazi ; dinamika rešetke ; elastičnost kristala
nije evidentirano
engleski
High pressure phase transitions in silicon crystals
nije evidentirano
density functional theory ; semiconductors ; phase transitions ; lattice dynamics ; crystal elasticity
nije evidentirano
Podaci o izdanju
66
16.06.2011.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Odjel za fiziku
Osijek