Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi

Low threshold, wafer fused long wavelength vertical cavity lasers (CROSBI ID 240780)

Prilog u časopisu | izvorni znanstveni rad | međunarodna recenzija

Dudley, J.J. ; Babić, Dubravko I. ; Mirin, R. ; Yang, L. ; Miller, B. I. ; Ram, R.J. ; Reynolds, T. ; Hu, E.L. ; Bowers, J.E. Low threshold, wafer fused long wavelength vertical cavity lasers // Applied physics letters, 64 (1994), 12; 1463-1465. doi: 10.1063/1.111913

Podaci o odgovornosti

Dudley, J.J. ; Babić, Dubravko I. ; Mirin, R. ; Yang, L. ; Miller, B. I. ; Ram, R.J. ; Reynolds, T. ; Hu, E.L. ; Bowers, J.E.

engleski

Low threshold, wafer fused long wavelength vertical cavity lasers

We demonstrate electrically injected InGaAsP (1.3 μm) vertical cavity lasers (VCLs) fabricated on GaAs substrates and employing GaAs/AlAs mirrors. The technique of wafer fusion allows for integration of GaAs/AlAs mirrors with InP double heterostructures without degradation of device performance, despite a 3.7% lattice mismatch between the wafers. The wafer fused VCLs have the lowest threshold current (9 mA) and lowest threshold current density (9.5 kA/cm2) and the highest characteristic temperature (T0=67 K) reported to date of any room‐temperature long wavelength VCL.

III-V semiconductors ; mirrors ; laser resonators ; current density ; electrical properties

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

Podaci o izdanju

64 (12)

1994.

1463-1465

objavljeno

0003-6951

1077-3118

10.1063/1.111913

Povezanost rada

Povezane osobe



nije evidentirano

Poveznice
Indeksiranost