Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi !

Materials Characterization Comparison of GaN HEMT- on-Diamond Layers Pre- and Post-Attachment (CROSBI ID 650493)

Prilog sa skupa u zborniku | izvorni znanstveni rad | međunarodna recenzija

Carlin, J. ; Jessen, G. ; Gillespie, J. ; Tomich, D. ; Francis, D. ; Wasserbauer, J. ; Faili, F. ; Babić, D. ; Ejeckam, F. Materials Characterization Comparison of GaN HEMT- on-Diamond Layers Pre- and Post-Attachment // Proceedings of the CS MANTECH Conference. 2008

Podaci o odgovornosti

Carlin, J. ; Jessen, G. ; Gillespie, J. ; Tomich, D. ; Francis, D. ; Wasserbauer, J. ; Faili, F. ; Babić, D. ; Ejeckam, F.

engleski

Materials Characterization Comparison of GaN HEMT- on-Diamond Layers Pre- and Post-Attachment

Atomic attachment of GaN high-electron mobility transistor epilayers to synthetic diamond is a novel technology for thermal management and reduction of RF losses in these transistors. Material characterization of GaN epilayers prior and after the atomic attachment is presented.

Materials ; Diamond ; Transistors

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

Podaci o prilogu

2008.

objavljeno

Podaci o matičnoj publikaciji

Proceedings of the CS MANTECH Conference

Podaci o skupu

CS MANTECH Conference

predavanje

14.04.2008-17.04.2008

Chicago (IL), Sjedinjene Američke Države

Povezanost rada

Povezane osobe




nije evidentirano