hrvatski

Analiza veličina zrna i poroziteta u nanofaznim filmovima novim metodama (GISAXS i GIXR)

Raspršenje rentgenskih zraka na malim kutovima priklona i raspršenja - GISAXS (Grazing-incidence small-angle x-ray scattering) za nanostrukturirane oksidne filmove snimljeno je Gabriel tipom, plinom ispunjenim 2D detektorima na sinkrotronu ELETTRA, u Trstu. GISAXS mjerenja vršili smo na TiO2, CeO2, Ce/Sn miješanim oksidima, V2O5 te V/Ce miješanim oksidima. U ovom izlaganju usmjerit ćemo pažnju na posljednje razultate dobivene GISAXS metodom za V2O5 i miješane V/Ce okside, koji su snimljeni su u nizovima određenih kuteva priklona. Vanadij oksid, kao što je V2O5, široko je istraživani materijal budući da teži stvaranju lamelarnih struktura, koje omogućuju interkalaciju/de-interkalaciju različitih iona između slojeva. Taj materijal je pogodan za upotrebu kao katalizator, u elektrokromnim uređajima, u naprednoj elektrokemijskoj ćeliji, a posebno u litijevim baterijama. Dodatak cerija poboljšao je stabilnost vanadijevog oksida sa kapacitetom ionskog naboja do 30 mC cm-2. Interkalacija Li+ iona u V/Ce filmove praćena je FT-IR spektroskopijom u kombinaciji sa CV mjerenjima u širokom području potencijala. U ovom radu prikazani GISAXS podaci za srednju veličinu zrna <R> i specifičnu površinu SS za vanadijev pentoksid i V/Ce oksid sa 38, 55 i 71 at. % V. Slojevitost ovih struktura praćena je reflektivnošću rentgenskih zraka na malim kutovima priklona - GIXR (grazing-incidence reflectivity of x-rays) metodom. GIXR analiza debljine i presjeka filmova vanadijevog pentoksida i V/Ce oksida potvrđena je TEM slikama filmova na staklenoj podlozi sa zahtjevnom pripremom uzoraka i posebnim kutem snimanja.

GISAXS; GIXR; nanofazni filmovi

nije evidentirano