hrvatski

Istraživanje defekata u siliciju kapacitivnom spektroskopijom

Na osnovi analize DLTS mjerenja provedenih na uzorcima monokristaliničnog silicija dobivenog metodom Czochralski sa i bez ugljika (Si:C i Si) mogu se donijeti određeni zaključci o samoj metodi te o ponašanju defekata u uvjetima termičkog tretmana na 150°C i 350°C. DLTS metoda i sam mjerni uređaj testirani su na uzorcima monokristaliničnog silicija u kojem je bio udifundiran titan. Pojava energetskog nivoa na 0.28 eV odlično se slaže s rezultatima iz literature te je time potvrđena uspješnost metode i ispravnost mjernog uređaja. Samo prisustvo kisika nije uvelo duboke nivoe u zabranjenu zonu koji bi bili mjerljivi DLTS uređajem. Dodatkom ugljika javlja se vrlo mali vrh na 0.58 eV koji termičkim tretmanom nestaje već pri 150°C. Nakon uvođenja defekata gama zračenjem javlja se više dubokih nivoa u zabranjenoj zoni. O-V centar na 0.17 eV kontinuirano se smanjuje povećanjem temperature termičkog tretmana i ovisi o prisustvu ugljika u materijalu. Prisustvo ugljika spriječilo je nastanak P-V centra na 0.44 eV koji se jasno mogao detektirati u uzorku bez ugljika (Si) kao i u termički netretiranom uzorku s ugljikom (Si:C). Uočila se pojava CiOi kompleksa na energiji 0.35 eV. Isto tako energetski nivo na 0.30 eV drastično se smanjio prisustvom ugljika. Velika energija implantacije protonima u materijal od 2 MeV potpuno je razorila kristalnu strukturu. Osobito se to odnosi na (Si:C) materijal te je ustanovljeno da je manjom energijom implantacije protona (80 keV) moguće dobiti mjerljivu diodu pa čak ako se radi o dozama za dva reda veličine većim (10E16 protona/cm2).

silicij; defekti u siliciju; kapacitivna tranzijentna spektroskopija dubokih nivoa

nije evidentirano