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Magnetoresistance tunnel de simple et double junctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnetiques

Un des défis de l'électronique de spin est l'injection et la détection d'électrons polarisés en spin dans des structures semiconductrices. Les jonctions tunnel a base de semiconducteurs ferromagnétiques peuvent etre utilisées comme test d'injection de spins puisque la magnétorésistance tunnel est la signature d'une transmission de porteurs polarisés en spin entre deux electrodes. Nous avons élaboré par épitaxie par jets moléculaires a basse temperature des simples et doubles jonctions tunnel magnétiques (JTMs). Les deux électrodes de GaMnAs (semiconducteur ferromagnétique) sont séparées par une fine barriere tunnel d'AlAs (1.7nm) (simple JTMs) ou par un puits quantique AlAs(1.7nm)/GaAs(5nm)/AlAs(1.7nm) (double JTMs). A T = 4 K la magnétorésistance tunnel (TMR) pour des JTMs a bas champ est 38%, correspondant a la transition de la configuration parall&egrave ; ; le a antiparallele de l'aimantation rémanente. L'observation du meme taux de TMR dans le cas de la double JTM est un effet du a la nature semiconductrice de l'électrode centrale (faible densité d'état au niveau de Fermi). Contrairement au cas des structures métalliques, la dépendance en tension de la TMR est la meme pour les deux JTMs. Ces effets liés a la nature semiconductrice de l'électrode centrale seront discutés.

électronique de spin; semiconducteurs ferromagnétiques; puits quantique

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