Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi !

Usvajanje i razvoj LPCVD procesa (CROSBI ID 753658)

Druge vrste radova | ostalo

Ivanda, Mile Usvajanje i razvoj LPCVD procesa // MZT. 2003.

Podaci o odgovornosti

Ivanda, Mile

hrvatski

Usvajanje i razvoj LPCVD procesa

Rast tankih filmova kemijskom depozicijom iz plinske faze pod niskim tlakom (engl. Low Pressure Chemical Vapour Deposition - LPCVD), jedna je od najvažnijih metoda depozicije tankih filmova i predstavlja temelj modernih tehnologija. Razlozi široke primjene LPCVD metode u zadnje dvije decenije leži prvenstveno u mogućnosti deponiranja različitih elemenata i spojeva na relativno niskim temperaturama, u obliku amorfnih i kristaliničnih filmova, sa velikim stupnjem savršenosti i čistoće. Metodu karakterizira jednostavno rukovanje, visoka pouzdanost operacija, jednostavo održavanje, velika brzina depozicije, uniformna debljina sloja i visoka reproducibilnost. Zbog svega toga ova je metoda našla široku primjenu kod depoziciju tankih filmova u poluvodičkoj industriji. U Hrvatskoj LPCVD metoda je postojala samo u bivšoj tvornici poluvodiča RIZ. Uz podršku bivših djelatnika tvornice kao i podrške Ministarstva znanosti i tehnologije, ova tehnologija se je prenjela na Istitut Ruđer Bošković, gdje se je usvojila i nastavila razvijati. U okviru predavanja biti će izložene osnovne postavke LPCVD metode, kao i koncepcija razvoja novih proizvoda (polisilicijski termički grijač i nanosilicijski laser) temeljenih na tehnologiji depozicije tankih filmova.

LPCVD

nije evidentirano

engleski

Implementation and development of the LPCVD process

nije evidentirano

LPCVD

nije evidentirano

Podaci o izdanju

MZT

2003.

nije evidentirano

objavljeno

Povezanost rada

Fizika