hrvatski

Utjecaj svjetlom generiranih metastabilnih defekata na efikasnost solarnih ćelija na bazi amorfnog silicija

Čisti amorfni silicij pokazuje vrlo skromna svojstva kao opto-elektronički materijal. Naime, zbog neuređenosti strukture, prosječni koordinacijski broj silicijevih atoma je manji od 4 pa u materijalu postoje velika koncentracija nespareni elektrona, tzv. "visećih veza", koji djeluju kao električki aktivni defekti te diskvalificiraju materijal u poluvodičkom smislu. Dodatkom vodika u materijal tokom rasta, većina strukturnih i električki aktivnih defekata se anihilira. Ovako "popravljen" materijal se može dopirati, ima veliki koeficijent apsorpcije i pokazuje znatnu fotovodljivost. No produženim djelovanjem svjetla, pucaju Si-H veze te dolazi do složene migracije vodika unutar materijala. Rezultat ovog procesa je nova prostorna raspodjela vodika koja nije nužno optimalna pa se s vremenom pojavljuju nove "viseće veze", što ima za posljedicu smanjenje vodljivosti i foto-vodljivosti (Staebler Wronski efekt, 1977). U izlaganju će biti pokazani rezultati procjene utjecaja svjetlom izazvanih promjena u amorfnom hidriranom siliciju na efikasnost ćelija koje se na njemu baziraju. Diskutirat će se slaganje sa eksperimentom uz poseban osvrt na fotonaponske module izrađene u tvornici "Solarne ćelije", Split.

solarne ćelije; amorfni silicij; metastabilni defekti

nije evidentirano