Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi

EPR study of defect formation in H implanted and annealed CZ Si (CROSBI ID 23654)

Prilog u knjizi | izvorni znanstveni rad

Pivac, Branko ; Rakvin, Boris ; Corni, F. ; Tonini, R. ; Ottaviani, G. EPR study of defect formation in H implanted and annealed CZ Si // Defects in electronic materials II / Michel, J ; Kennedy, T ; Wada, K et al. (ur.). Pittsburgh (PA): Materials Research Society, 1997. str. 293-298-x

Podaci o odgovornosti

Pivac, Branko ; Rakvin, Boris ; Corni, F. ; Tonini, R. ; Ottaviani, G.

engleski

EPR study of defect formation in H implanted and annealed CZ Si

EPR study of defect formation in H implanted and annealed CZ

silicon, hydrogen, ion implantation, defects, EPR

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

Podaci o prilogu

293-298-x.

objavljeno

Podaci o knjizi

Defects in electronic materials II

Michel, J ; Kennedy, T ; Wada, K ; Thonke, K.

Pittsburgh (PA): Materials Research Society

1997.

1-55899-346-0

Povezanost rada

Fizika, Kemija