hrvatski

Bipolarni VLSI/ULSI tranzistori s horizontalnim tokom struje

U radu je prikazan pregled postojećih bipolarnih tehnologija. Opisana su ograničenja vertikalnih i lateralnih bipolarnih tranzistora. Zbog smanjenog volumena parazitnih dijelova, lateralni tranzistori imaju male iznose parazitnih kapaciteta i otpora što ih čini pogodnima za primjene gdje se zahtijeva mala disipacija snage. Nadalje, pogodni su za integraciju u BiCMOS proces. Ispitane su mogućnosti skaliranja lateralnih tranzistora izvedenih u SOI tehnologiji. Izvedene su simulacije električkih karakteristika za strukturu s baznim kontaktom na vrhu i za strukturu s bočno izvedenim kontaktom baze. Pokazano je da su glavna ograničenja postojećih lateralnih tranzistora vezana uz procesiranje intrinsične baze. Tehnološki proces za dobivanje tranzistora s horizontalnim tokom struje (HCBT) omogućava dobivanje optimalnih profila primjesa u intrinsičnom tranzistoru. Pri tome je volumen parazitnih dijelova znatno smanjen u odnosu na vertikalne tranzistore. Ispitane su mogućnosti skaliranja te optimiranja profila primjesa za HCBT strukturu. Pokazano je da su karakteristike HCBT-a ograničene litografijom te da je strukturu potrebno skalirati. HCBT izveden u naprednijoj tehnologiji ima visok iznos frekvencije jediničnog pojačanja (fT) te probojnog napona u spoju zajedničkog emitera (BVCEO). To je posljedica dijeljenja naboja između akceptora iz intrinsične i ekstrinsične baze. Analiziran je efekt dijeljenja naboja te je izvedena optimizacija geometrijskih parametara ekstrinsične baze za bolje rješenje kompromisa između fT i BVCEO. Pokazano je da se BVCEO može povećati za 23.6 %, a da se pri tome fT smanji samo 5.7 %.

vertikalni bipolarni tranzistor; lateralni bipolarni tranzistor; HCBT; skaliranje; frekvencija jediničnog strujnog pojačanja; maksimalna frekvencija osciliranja; probojni napon; ekstrinsična baza; efekt dijeljenja naboja

nije evidentirano