hrvatski

Analiza električkih i tehnoloških karakteristika bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje

U radu je prezentiran koncept novog silicijskog bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje (engl. Horizontal Current Bipolar Transistor - HCBT). Tehnološki proces je simuliran pomoću dvodimenzionalnog simulatora, pretpostavljajući pravila projektiranja od 0,25 um/0,1um (rezolucija litografije / tolerancija pomaka maski). U svrhu procjene tehnoloških karakteristika HCBT strukture izvršena je simulacija samopodešavajućeg silicijskog bipolarnog tranzistora (engl. Super-Self Aligned Transistor - SST), pretpostavljajući istu rezoluciju litografije. Oba tranzistora su procesirana tako da imaju identične raspodjele primjesa u aktivnom dijelu tranzistora. Električka simulacija je pokazala da HCBT i SST imaju slične karakteristike, s time da HCBT ima veći serijski otpor baze.

bipolarni tranzistor; numerička simulacija; tehnološki proces; samopodešavanje; međupovršinske zamke

nije evidentirano