hrvatski

Elektronska struktura i-Al-Pd-Mn i i-Al-Pd-Re kvazikristala

Poznato je da polikristalinični uzorci kvazikristala i-Al-Pd-Re pokazuju bitno drugačija elektronska transportna svojstva od svih drugih kvazikristala na bazi aluminija. Najnovija istraživanja elektronskog transporta i elektronske strukture polikristaliničnih i monokristalničnih uzoraka kvazikristala i-Al-Pd-Re govore u prilog tvrdnji da su velika otpornost i prijelaz metal-izolator u polikristaliničnim i-Al-Pd-Re kvazikristalima uzrokovane jakom poroznošću materijala te prisutnošću kisikom bogatih malih izolatorskih područja u materijalu fraktalne geometrije, a ne instrinsično svojstvo kvaziperiodične rešetke materijala. Usporedbom mjerenja električne otpornosti uzoraka monokristala i-Al-Pd-Re i i-Al-Pd-Mn i rezultata ab initio računa elektronske gustoće stanja kvazikristala i-Al-Pd-Re i i-Al-Pd-Mn zaključujemo, suprotno prije donesenom zaključku na temelju samo mjerenja na uzorcima polikristala i-Al-Pd-Re, da ove dvije isostrukturne porodice kvazikristala imaju vrlo slična elektronska transportna svojstva.

kvazikristali; Al-Pd-Mn; Al-Pd-Re; električni otpor; gostoća stanja

nije evidentirano