Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu (CROSBI ID 344965)
Ocjenski rad | magistarski rad (mr. sc. i mr. art.)
Podaci o odgovornosti
Perić, Mario
Biljanović, Petar
hrvatski
Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu
U radu je prikazan kratki opis tehnologije silicija na izolatoru, prednosti te strukture i problemi prilikom skaliranja. Ta struktura zajedno sa strukturom silicija ni na čemu poslužiti će nam u razumijevanju strukture vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu. Prikazati ćemo različite tehnološke izvedbe te strukture, optimizirati geometrijske i topološke dimenzije. Pomoću dvodimenzionalnog 2D simulatora MEDICI izvršena analizu je i povezanost tehnološke parametre i karakteristike SONFET-a te modeliranje i ekstrakcija električkih parametara.
silicij ni na čemu SON; silicij na izolatoru SOI; napon praga; ukopani oksidni sloj; kratki kanal; uski kanal; skaliranje
nije evidentirano
engleski
Analyze of vertical MOS transistor in silicon-on-nothing technology
nije evidentirano
silicon on nothing SON; silicon on insulator SOI; threshold voltage; buried oxide layer BOX; short channel; narrow channel; scaling
nije evidentirano
Podaci o izdanju
89
27.04.2006.
obranjeno
Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zagreb
