Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi

Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom (CROSBI ID 345040)

Ocjenski rad | diplomski rad

Žonja, Sanja Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom / Biljanović, Petar ; Ivanda, Mile (mentor); Zagreb, Fakultet elektrotehnike i računarstva, . 2006

Podaci o odgovornosti

Žonja, Sanja

Biljanović, Petar ; Ivanda, Mile

hrvatski

Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom

U ovom radu prikazani su načini dobivanja tankih slojeva polisilicija i silicijevog dioksida te metode određivanja njihovih svojstava u svrhu dobivanja polisilicijskog termičkog elementa. Dobiveni slojevi silicijevog dioksida su homogeni s minimalnim brojem defekata. Eksperimentalno je određena temperatura za optimalan rast polisilicijskih slojeva te je na toj temperaturi vršeno dopiranje s borom da bi se dobio određeni slojni otpor uzoraka.

polisilicij; silicijev dioksid; polisilicijski termički element; LPCVD (kemijska depozicija iz parne faze pri sniženom tlaku); termička oksidacija; ramanova spektroskopija; infracrvena spektroskopija; veličina zrna; debljina uzorka; boja uzorka

nije evidentirano

engleski

Characterization of polysilicon layers obtained by LPCVD

nije evidentirano

polysilicon; silicon dioxide; polysilicon thermal element; LPCVD (Low Pressure Chemical Vapour Deposition); thermal oxidation; Raman spectroscopy; Infrared spectroscopy; grain size; sample thickness; sample colour

nije evidentirano

Podaci o izdanju

99

21.09.2006.

obranjeno

Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj

Fakultet elektrotehnike i računarstva

Zagreb

Povezanost rada

Fizika, Elektrotehnika