hrvatski

KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA

Tanki filmovi (Ge:SiO2 debljine: 280 nm) priređeni su magnetronskom depozicijom na dva načina: u obliku 20 izmjenjujućih (Ge:SiO2) + (SiO2) slojeva (debljine: 7+7 nm), i u obliku jednog homogenog nanosa. Izlučivanje i morfologija Ge-nanokristala u SiO2 okružju istraživano je analizom GISAXS (Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering) i GIXRD (Grazing Incidence X-Ray Diffraction) spektara, ovisno o načinu priređivanja i temperaturi dozrijevanja Ta (od sobne do 900°C). Ustanovljeno je da SiO2 sloj između (Ge:SiO2) slojeva kod višeslojnog, za razliku od homogenog filma, transformira 3D prostorno uređenje Ge-nanokristala u 2D uređenje unutar svakog (Ge:SiO2) sloja, te utječe na konačnu morfologiju Ge-nanokristala. 2D GISAXS spektri daju period višeslojne strukture filmova, te srednju veličinu i udaljenost između Ge-nanokristala, a analizom GIXRD spektara određena je temperatura TCP na kojoj počinje izlučivanje i kristalizacija germanija. Kratkodosežno korelirani kugloidni Ge-nanokristali veličine oko 7-12 nm, izlučuju se dozrijevanjem na Ta=700– 800°C bez obzira na način priređivanja filma. Također su uspoređena dva pristupa analizi 1D GISAXS spektara: tradicionalni - pomoću Guinierove aproksimacije, s modelnim - koji se temelji na prilagodbi spektra u cijelom q području.

Ge-nanokristali; tanki film; kinetika; morfologija

nije evidentirano