Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi !

Istraživanje defekata u nanokristaliničnom siliciju elektronskom paramagnetskom rezonancijom (CROSBI ID 331055)

Ocjenski rad | magistarski rad (mr. sc. i mr. art.)

Grozdanić, Danijela Istraživanje defekata u nanokristaliničnom siliciju elektronskom paramagnetskom rezonancijom / Pivac, Branko; Rakvin, Boris (mentor); Zagreb, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb, . 2000

Podaci o odgovornosti

Grozdanić, Danijela

Pivac, Branko; Rakvin, Boris

hrvatski

Istraživanje defekata u nanokristaliničnom siliciju elektronskom paramagnetskom rezonancijom

U ovom su radu opisana istraživanja paramagnetski aktivnih defekata u intrinsičnom polikristaliničnom siliciju proizvedenom RTCVD metodom, koji se koristi kod proizvodnje solarnih ćelija. Iz EPR spektra se vidi da uzorci ovog silicija osim normalne viseće veze prisutne na granici zrna u polikristaliničnom siliciju sadrže i drugu vrstu paramagnetskih defekata te da ukupni broj paramagnetskih defekata i omjer broja pojedinih vrsta paramagnetskih defekata ovise o temperaturi proizvodnje. To se vidjelo iz EPR snimanja šest uzoraka proizvedenih na različitim temperaturama RTCVD reaktora:870°C, 900°C, 960°C, 1030°C, 1150°C, 1240°C i iz dekonvolucije svakog EPR spektra na jednu simetričnu komponentu čija g-vrijednost odgovara visećoj vezi u siliciju i na asimetričnu komponentu spektra. Mjerenjem intenziteta ukupnog EPR signala i pojedinih komponenti signala dobivena je informacija o broju pojedine vrste defekata i o ukupnom broju paramagnetskih defekata. Dobiveno je da se sa povišenjem temperature proizvodnje mijenja omjer broja normalnih visećih veza i broja defekata koji daju asimetričnu komponentu signala tako da raste udio normalnih visećih veza te na višim temperaturama reaktora silicijev film raste sa sasvim malim brojem defekata druge vrste. Ovisnost ukupnog broja paramagnetskih defekata o temperaturi reaktora dobila je objašnjenje nakon rendgenskog snimanja uzoraka. Istu ovisnost o temperaturi pokazuje volumni udio <110> teksturne komponente koji je izračunat iz rendgenskog snimanja te se iz ovog može zaključiti da zrna rastu pretežno u ovom smjeru. Ostaje neodgovoreno pitanje koja je to vrsta defekata koja daje asimetričnu komponentu signala. Iz g-vrijednosti ovog signala može se zaključiti da se radi o multivakancijama ili o kompleksima multivakancija i nečistoća, najvjerojatnije kisika ili vodika koji su u visokoj koncentraciji prisutni kod rasta filma. Na ovo upućuju podaci iz literature: Refs.(27-31). Iz mjerenja pod saturacijom vidi se kompleksna struktura asimetrične komponente signala, tj. da on nastaje superpozicijom pojedinih signala od istovrsnih centara koji se malo razlikuju.

silicij; defekti granice zrna; elektronska paramagnetska rezonancija

nije evidentirano

engleski

Study of defects in nanocrystalline silicon by electron paramagnetic resonance

nije evidentirano

silicon; defects; grain boundaries; electron paramagnetic resonance

nije evidentirano

Podaci o izdanju

95

08.12.2000.

obranjeno

Podaci o ustanovi koja je dodijelila akademski stupanj

Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb

Zagreb

Povezanost rada

Fizika, Kemija