hrvatski

Analiza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji

U ovom radu analiziran je utjecaj različitih mehanizama osiromašenja tranzistora snage na parametre kao što su probojni napon, serijski otpor, struja odvoda, itd. Obavljeno je mjerenje izlaznih i prijenosnih karakteristika procesiranih tranzistora snage. Mjereni tranzistori snage bili su procesirani u standardnoj 350nm-skoj CMOS tehnologiji. Rad procesiranih tranzistora snage analiziran je simulacijama u dvodimenzionalnom simulatoru MEDICI. U svrhu toga definirane su simulacijske strukture tranzistora snage. Parametri definiranih struktura kao što su koncentracije primjesa, duljine te dubine odgovarajućih regija određene su na način da se postigne što bolje poklapanje simulacija sa mjerenjima, a da zahtjevi koje definira standardna 350nm CMOS tehnologija budu zadovoljeni. Također je obavljena analiza utjecaja promjene odgovarajućih parametara definiranih tranzistora snage kao što su: utjecaj promjene dubine i položaja LOCOS područja, utjecaj duljine i položaja p+ područja, te utjecaj položaja lokalne izolacije n-tipa. Povećanjem dubine LOCOS moguće je ostvariti veće probojne napone bez značajnog utjecaja na serijski otpor i struju odvoda. p+ područje mora se nalaziti u blizini početka lokalne izolacije n-tipa kako bi se izbjegla pojava kink efekta. Povećanje duljine p+ regije nema značajan utjecaj na probojni napon tranzistora snage. Udaljavanjem lokalne izolacije n-tipa od upravljačke elektrode dolazi do smanjenja struje odvoda i povećanja serijskog otpora, dok se probojni napon nije značajnije promijenio. Na kraju je donesen zaključak koji se odnosi na kompromis između parametara kao što su serijski otpor i probojni napon.

tranzistor snage; simulacije; CMOS tehnologija

nije evidentirano