hrvatski

Mjerenje bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje procesiranog u 180 nm CMOS tehnologiji

Danas se najcešce upotrebljavaju samo dvije vrste tranzistora: tranzistor s efektom polja-FET (koje karakterizira jeftina tehnologija i mala potrošnja) i bipolarni tranzistori (skuplja tehnologija, bolje elektricke karakteristike) ; ovisno o željenom rezultatu. Ovdje je predstavljena HCBT tehnologija, koja zadržava dobra svojstva izvedbe uz malu površinu tranzistora. Predstavljen je i princip rada bipolarnog tranzistora. Obavljena su mjerenja i prikazani su rezultati mjerenja karakteristika dviju razlicitih vrsta HCBT na odredenim cipovima, sa 3 razlicita wafera. Wafer 6 pokazao se kao najbolji: ima najmanja rasipanja, može raditi na višim naponima i ima vece pojacanje b .

bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje; mjerenja na čipu; električke karakteristike

nije evidentirano