hrvatski

Utjecaj koncentracija primjesa na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje u 180 nm CMOS tehnologiji

U okviru ovog rada testiran je novi bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje. Testiranje je provedeno mjerenjima tranzistora u laboratoriju fakulteta elektrotehnike i racunarstva u Zagrebu, na zavodu za mikroelektroniku, racunalne i inteligentne sustave. Najprije je teoretski analiziran tranzistor s vertikalnim tokom struje pri cemu smo posebnu pažnju posvetili parametrima toga tranzistora koji su nam poslužili da pokažemo bolja svojstva novog tranzistora. Pokazali smo da SST struktura ima kompliciranu tehnologiju izrade i velika pasivna podrucja, što rezultira velikom površinom samog tranzistora i lošim karakteristikama koje se najviše ocituju u brzini rada i manjom gustocom smještaja na silicijskoj plocici. Dalje smo opisali mjernu opremu koja je korištena prilikom mjerenja i predstavili smo novi koncept bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje. Nova HCBT struktura se može dobiti jednostavnijom tehnologijom izrade, s jednostrukim slojem polisilicija, bez potkolektorskog sloja što eliminira procese epitaksije koji su ranije bili potrebni. Mjerenja su pokazala da je nova HCBT struktura brža od ranijih struktura jer su parazitne regije tranzistora manje nego kod ranijih struktura, stoga HCBT ima višu gornju granicnu frekvenciju fT=30GHz, s optimalnim strujnim pojacanjem.

bipolarni tranzistor; silicijska pločica; HCBT; SST

nije evidentirano