hrvatski

Projektiranje dvostruko balansiranog mješala u integriranoj bipolarnoj tehnologiji

Izvedba mješala u integriranoj tranzistorskoj tehnologiji HCBT tranzistorima ima ogroman potencijal. Radi veće strminske karakteristike daju bolja pojačanja od ubipolarnih izvedbi mješala. Male kolektorske struje od 210 μA također su jedna od najvećih prednosti HCBT tehnologije jer omogućavaju paraleliranje tranzistora i povećanje ukupne struje mješala u koracima od samo 420 μA što omogućuje jako precizno prilagođavanje prema LNA pojačalima u bežičnim uređajima. Mješala treba proizvsti planarnom tehnologijom na siliciju i ispitati odnose realnih karakteristika sa ovima dobivenim simulacijama. Također je potrbno još puno rada da bi mješala dobila praktičnu primjenu, kao što je napisano u analizi rada mješala.

HCBT; LNA pojačalo; mješalo frekvencija; integrirana tehnika

nije evidentirano