Studij defekata u siliciju implantiranom ionima fosfora energije 40 keV-a (CROSBI ID 572781)
Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa | međunarodna recenzija
Podaci o odgovornosti
Etlinger, Božidar ; Urli, Natko
hrvatski
Studij defekata u siliciju implantiranom ionima fosfora energije 40 keV-a
U silicij p-tipa vodljivosti 100 (ohm-cm)(-1) implantirani su ioni fosfora P31 energije 40 keV-a. Smjer implantacije bio je (111). Upotrebljene su doze od 10(na12) i 10(na13) iona po cm2, da bi se izbjeglo dobivanje amorfnog sloja na površini. Izvršena su mjerenja temperaturne zavisnosti Hallovog koeficijenta i vodljivosti slojeva na uzorcima “mesa” strukture nakon napuštanja na višim temperaturama, počevši od 150oC, uz postepeno skidanje slojeva metodom anodne oksidacije. Nakon napuštanja dobiven je donorski nivo fosfora (Ec – 0.044 eV). Diskutiran je mogući utjecaj nehomogenosti u raspodjeli defekata rešetke na određivanje položaja lokaliziranih energetskih nivoa pridruženih defektima uvedenim implantacijom.
implantacija fosfora; silicij; Hallova vodljivost;
predavanje, međunarodna recenzija, znanstveni, sažetak
engleski
Study of defects in silicon by phosphorus ion implantation of energy 40 keV
nije evidentirano
implantation of phosphorus; silicon; the Hall conductivity
nije evidentirano
Podaci o prilogu
59-59.
1972.
objavljeno
Podaci o matičnoj publikaciji
Krsnik, Rudolf ; Leontić, Borivoj ; Mestnik, Brigita ; Ogorelec, Zvonimir
Zagreb: IFS - PMF, Zagreb
Podaci o skupu
3.Jugoslavenski simpozij o fizici čvrstog stanja, Opatija, 18.-22. septembar 1972.
predavanje
18.09.1972-22.09.1972
Opatija, Jugoslavija