hrvatski

Tanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika

Sve do nedavno, silicij nije bio razmatran kao potencijalni termoelektrik zbog svojih loših termoelektričnih svojstava kod kojih najveću ulogu igra veoma visoka toplinska vodljivost. No, razvojem eksperimentalnih metoda koje su utjecale na bolju kontrolu veličine zrna polikristalnog materijala i njegovih dimenzija te metoda kojima se postiže nanostrukturiranje silicija, vjerojatnost da bi silicij mogao postati komercijalni termoeletkrik znatno je porasla. U sklopu ovog istraživanja analizirali smo fosforom visokodoprane slojeve polikristalnog silicija. Amorfni uzorci su pripremljeni paralelnim tokom silana i fosfina u LPCVD (kemijska depozicija iz parne faze pri sniženom tlaku) reaktoru na 530 °C. Nakon depozicije podvrgnuti su brzom termičkom aneliranju (RTA) u različitim vremenskim intervalima na temperaturi napuštanja od 950 °C. Koncentracija fosfora u svakom uzorku dobivena je iz rezultata SIMS-a i iznosi 2∙1020 cm-3. Uzorci su analizirani Ramanovom spektroskopijom, SEM-om (pretražni elektronski mikroskop), metodom 4 šiljka za ispitivanje slojnog otpora te su povrgnuti niskotemperaturnim mjerenjima otpora i Seebeckovog koeficijenta. Seebekov koeficijent pokazuje linearnu temperaturnu ovisnost iznad 150 K dok u tom istom intervalu otpornost ima T3/2 ovisnost.

polisilicij; RTA; LPCVD

nije evidentirano