hrvatski

DEPOZICIJA I KARAKTERIZACIJA TANKIH SLOJEVA SILICIJA OBOGAĆENIH KISIKOM

Silicij obogaćen kisikom (SiOx) predstavlja novi materijal s posebnim strukturnim i optičkim svojstvima koji nalazi sve veću primjenu u optoelektronici i mikroelektronici, kao na primjeru nove kategorije čvrstih excimerskih materijala. U okviru ovog diplomskog rada pripravljeni su uzorci tankih slojeva silicija obogaćenog kisikom, metodom kemijske depozicije iz plinovite faze, pri sniženom tlaku (LPCVD) i temperaturi od 570°C, uz variranje omjera parcijalnih tlakova radnih plinova silana (SiH4) i kisika (O2) s ciljem dobivanja različite koncentracije kisika u deponiranoj strukturi. Svrha istraživanja je određivanje najpovoljnijih uvjeta za depoziciju amorfnih SiOx slojeva, s ciljem dobivanja homogene strukture uz vrijednosti stehiometrijskog koeficijenta x između 0 i 2, kao i odgovarajućih svojstva nanokristala silicija koji bi trebali biti osnova za daljnji razvoj problematike prema multislojnim kvantnim strukturama. Strukturna i optička svojstva SiOx dobivenih tankih slojeva na kvarcnim i monokristalnim silicijevim podlogama analizirana su Ramanovom i infracrvenom (FTIR) apsorpcijskom spektroskopijom, pretražnom elektronskom mikroskopijom (SEM), te elipsometrijom. Sastav deponiranih slojeva analiziran je elektronskom disperzivnom spektroskopijom (EDS) u sklopu pretražnog elektronskog mikroskopa. Posebna pozornost pritom je usmjerena na utjecaj karakteristika depozicijskog reaktora i nečistoća na svojstva i dobivanje depozicijskih slojeva, kao i mogućnosti elektronske disperzivne spektroskopije. Veći dio diplomskog rada izrađen je u Laboratoriju za molekulsku fiziku, Zavoda za fiziku materijala (IRB), te Zavodu za kemiju materijala (IRB), dok su infracrvena spektroskopska mjerenja napravljena na Medicinskom fakultetu u Zagrebu.

SiOx; LPCVD; Raman; silicij; depozicijske tehnike; infracrvena spektroskopija; SEM

nije evidentirano