Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi !

Crystallization kinetics of the amorphous Al-W thin films (CROSBI ID 479283)

Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa | domaća recenzija

Car, Tihomir ; Radić, Nikola ; Ivkov, Jovica ; Tonejc, Antun Crystallization kinetics of the amorphous Al-W thin films // Zbornik sažetaka / Radić, Nikola (ur.). Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 1998. str. 17-18-x

Podaci o odgovornosti

Car, Tihomir ; Radić, Nikola ; Ivkov, Jovica ; Tonejc, Antun

engleski

Crystallization kinetics of the amorphous Al-W thin films

Kinetika kristalizacije amorfnih Al-W tankih filmova izučavana je pomoću kontinuiranog mjeranja električnog otpora pod neizotermnim uvjetima u vakuumu. Amorfni Al-W tanki filmovi napravljeni su istovremenim DC magnetronskim rasprašenjem, čistog aluminija i volframa, iz neovisno kontroliranih magnetronskih izvora. Podloga na koju je nanošen film rotirana je tijekom depozicije radi postizanja lateralne homogenosti. Brzina depozicije bila je 0.1-0.3 nm/s a pripravljeni su filmovi debljine 1-3 mm. Potpuno amorfni filmovi dobiveni su u rasponu sastava od Al80W20 do Al62W18. Temperature kristalizacije, Tx, kretale su se, ovisno o sastavu, u granicama od 800 K do 920 K. Za amorfne uzorke sastava Al80W20, Al78W22 i Al75W25 određene su energije aktivacije za kristalizaciju i Avramijevi eksponenti. Iz dobivenih podataka vidljivo je da energija aktivacije i frekvencijski faktor rastu s porastom udjela volframa, što je očekivano s obzirom na porast temperature kristalizacije. S druge strane, s porastom udjela volframa vrijednosti Avramijevog eksponenta opadaju. Tako za amorfne filmove Al78W22 i Al75W25 vrijednosti Avramijevog eksponenta ukazuju na difuzijske procese s atermalnim rastom jezgri (quenched-in). Za Al80W20 amorfni film vjerojatno imamo nedifuzijske procese s atermalnim rastom jezgri ili konstantnom nukleacijom. Opaženo ponašanje u skladu je sa pojavom Al4W intermetalnog spoja kao prvog produkta kristalizacije. U blizini stehiometrijskog omjera, (Al:W=4:1), imamo bržu kristalizaciju, tj. samo lokalno preslagivanje atoma, dok difuzijski procesi postaju dominantniji što se više udaljavamo od stehiometrijskog omjera.

Amorphous Al-W thin films; crystallization

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

nije evidentirano

Podaci o prilogu

17-18-x.

1998.

objavljeno

Podaci o matičnoj publikaciji

Zbornik sažetaka

Radić, Nikola

Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD)

Podaci o skupu

5. susret vakuumista Hrvatske i Slovenije

predavanje

20.05.1998-20.05.1998

Zagreb, Hrvatska

Povezanost rada

Fizika