hrvatski

Električna i strukturna svojstva neosvjetljenih tankih filmova od amorfno-nanokristaliničnog silicija

Proučena su električna i mikrostrukturna svojstva grupe hidrogeniziranih nano-kristaliničnih filmova (nc-Si:H) deponiranih na staklenom supstratu na niskim temperaturama poznatom metodom kemijskog nanošenja, odnosno radio-frekvencijskom depozicijom potpomognutu plazmom (RF-PECVD. Opisana je prosječna veličina kristalnih zrna, postotak kristaliničnosti XSC, podaci o tamnoj vodljivosti D ispitanoj pomoću Raman spektroskopije i spektroskopije električne vodljivosti. Zamijećeno je da se prosječna veličina kristalnih zrna, postotak kristaliničnosti i vrijednost električne vodljivosti mijenjaju slično i u skladu s promjenom temperature supstrata TS. Navedeni parametri koji karakteriziraju električna svojstva filma proračunati su korištenjem površinskog difuznog modela i modela kvantnih točki heterospojeva HQD (engl. Heterojunction Quantum Model). Utvrđene vrijednosti električne vodljivosti D neosvijetljenih nano-kristaliničnih filmova izrađenih od silicija više ovise o vrijednosti efektivne pokretljivosti nosilaca nego o efektivnoj vrijednosti koncentracije nosilaca.

hidrogenizacija; HQD model; nano-kristali; Raman spektroskopija; tamna vodljivost

nije evidentirano