hrvatski

Projektiranje i optimiranje standardnih ćelija u galij-arsenidskoj tehnologiji

U ovom radu opisan je cjelokupni postupak od projektiranja i optimiranja do crtanja maski za proizvodnju nekoliko ćelija iz SCFL porodice digitalnih ćelija. Algoritam optimizacije razrađen je na SCFL razvodnom sklopu. Ispitan je utjecaj otpornika i širine tranzistora u sklopu na vrijeme kašnjenja kao i na iznose izlaznih nivoa. Iznosi izlaznih nivoa kao i ukupna potrošnja snage sklopa trebali su ostati konstantni tijekom procesa optimizacije. Sam proces optimizacije nije jednoznačan. Kao i svaka SCFL ćelija, razvodni sklop ima jednu ulaznu i dvije izlazne grane. Proces optimizacije je proveden i za slučaj kada veća struja teče ulaznom granom i za slučaj kada ima više struje u izlaznoj grani. Pokazalo se da svaki od slučajeva ima svoje prednosti, ali i svoje mane. Nakon procesa optimizacije, izmjereni su napon smetnje, ulazna kapacitivnost sklopa kao i frekvencija prstenastog oscilatora kao pokazatelj brzine rada sklopa. Također je ispitan i utjecaj promjene temperature na rad sklopa, kao i utjecaj raspršenja električkih parametara elemenata u sklopu zbog varijacija u tehnologiji. Sklopovi zadržavaju funkcionalnost za sve vrijednosti temperature i raspršenja parametara. Algoritam je primijenjen i na složenije ćelije, a kao primjer optimiran je SCFL RS bistabil. Za RS bistabil također su simulirane sve karakteristike sklopa i ispitan je utjecaj svih vanjskih parametara kao i za razvodni sklop. Rad RS bistabila također zadržava funkcionalnost za sve vrijednosti temperature i raspršenja parametara. Na kraju rada nacrtane su maske za proizvodnju optimiranih ćelija kako bi se ćelije mogle procesirati, a zatim mjerenjem potvrditi rezultati simulacija.

projektiranje; standardne ćelije; galij-arsenidska tehnologija

nije evidentirano