Nalazite se na CroRIS probnoj okolini. Ovdje evidentirani podaci neće biti pohranjeni u Informacijskom sustavu znanosti RH. Ako je ovo greška, CroRIS produkcijskoj okolini moguće je pristupi putem poveznice www.croris.hr
izvor podataka: crosbi !

Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture (CROSBI ID 644821)

Prilog sa skupa u zborniku | sažetak izlaganja sa skupa | domaća recenzija

Petrović, Marin ; Šrut, Iva ; Pervan, Petar ; Sadowski, Jurek ; Valla, Tonica ; Runte, Sven ; Busse, Carsten ; Michely, Thomas ; Kralj, Marko Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture. 2011

Podaci o odgovornosti

Petrović, Marin ; Šrut, Iva ; Pervan, Petar ; Sadowski, Jurek ; Valla, Tonica ; Runte, Sven ; Busse, Carsten ; Michely, Thomas ; Kralj, Marko

hrvatski

Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture

Posljednjih godina je grafen, atomski tanak sloj ugljikovih atoma, u fokusu interesa velikog broja istraživača zbog mnogih zanimljivih svojstva koja proizlaze iz njegove specifične strukture [1]. Razvijeno je nekoliko metoda koje se koriste za formaciju grafena među kojima su i TPG (Temperature Programmed Growth) i CVD (Chemical Vapour Deposition) [2] kod kojih se dekompozicijom ugljikovodika na površini određenih prijelaznih metala stvaraju grafenski slojevi visoke strukturne kvalitete. Tako dobiven grafen je ujedno zanimljiva polazišna točka za formiranje kompleksnijih sistema, grafenskih hibrida, koji se mogu dobiti npr. interkalacijom različitih atoma između grafena i substrata. Ovdje prezentiramo rezultate istraživanja rasta grafena te svojstva cjelovitog grafenskog monosloja na Ir(111). Grafen je formiran pomoću TPG + CVD procedura gdje se kontroliranjem osnovnih fizikalnih parametara (tlak, temperatura) može utjecati na način rasta grafena. Osim proučavanja čistog grafena na iridiju, istražena je struktura takvog sustava nakon što se na njega deponiraju atomi cezija. Korištenjem ARPES (Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy) tehnike dobiven je jasan uvid u elektronsku strukturu grafena i iridija sa fokusom na rub Brillouinove zone grafena gdje nalazimo Diracov konus [3]. Dodatna karakterizacija u realnom i inverznom prostoru izvedena je pomoću LEEM (Low Energy Electron Microscopy) i LEED (Low Energy Electron Diffraction) tehnika. [1] A. K. Geim i K. S. Novoselov, Nature Mat. 6, 183 (2007) [2] J. Coraux et al., New J. Phys. 11, 023006 (2009) [3] I. Pletikosić et al., Phys. Rev. Lett. 102, 056808 (2009)

grafen, epitaksijalni rast, iridij, TPG, CVD

nije evidentirano

engleski

Epitaxial graphene on Ir(111) - growth and structure characterization

nije evidentirano

graphene, epitaxial growth, iridium, TPG, CVD

nije evidentirano

Podaci o prilogu

2011.

objavljeno

Podaci o matičnoj publikaciji

Podaci o skupu

7.znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva

predavanje

13.10.2011-16.10.2011

Primošten, Hrvatska

Povezanost rada

Fizika